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三星表示，它已经通过启动12纳米工艺的16Gb DDR5 DRAM的大规模生产重申了其在DRAM领域的领导地位。这家韩国电子巨头声称，与上一代产品相比，这种新工艺生产的内存IC可降低约四分之一的功耗，并将提高五分之一的晶圆生产力。此外，这些领先的内存芯片将拥有7.2Gbps的最大引脚速度。

三星表示，12纳米级DRAM的开发是通过 "使用一种新的高K材料 "实现的。在进一步的细节中，它解释说，这些集成电路中使用的晶体管栅极材料具有更高的电容，使其状态更容易被准确区分。此外，三星在降低工作电压和减少噪音方面的努力也有助于提供这种优化的解决方案。

这些仍然是16Gb的IC，所以三星并没有通过这些DRAM芯片在其密度路线图上走得更远。相反，所预示的好处涉及电源效率、速度和晶圆经济。如果你想要一些数字，三星指出，12纳米DDR5集成电路与前一代相比，功耗降低了23%，晶圆生产力提高了20%。

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